IGFET (Transistor d'efecte de camp de porta aïllada): la porta està separada del canal per una capa de diòxid de silici que és un aïllant que garanteix que la porta estigui aïllada de les dues fonts. i buida.
Què aïlla la porta i el canal en MOSFET?
Els
MOSFET funcionen igual que els JFET, però tenen un terminal de porta aïllat elèctricament del del canal conductor.
Què és el transistor d'efecte de camp de porta aïllada o Igfet?
El FET de porta aïllada, també conegut com a transistor d'efecte de camp semiconductor d'òxid metàl·lic (MOSFET), és similar al JFET, però presenta una impedància d'entrada resistiva encara més gran a causa de la fina capa de diòxid de silici que s'utilitza per aïllar la porta del canal semiconductor.
Com es forma el canal a MOSFET?
El funcionament d'un MOSFET depèn del condensador MOS. El condensador MOS és la part principal del MOSFET. La superfície del semiconductor a la capa d'òxid inferior que es troba entre els terminals de font i drenatge. … Si apliquem una tensió negativa, es formarà un canal de forats sota la capa d'òxid.
Quin és el canal en un MOSFET?
El MOSFET de canal N té una regió de canal N situada entre els terminals d'origen i de drenatge És un dispositiu de quatre terminals que té els terminals com a porta, drenatge i font., cos. En aquest tipus de transistor d'efecte de camp, el drenatge i la font estan fortament dopats a la regió n+ i el substrat o el cos són de tipus P.